视频 | 性能突破性提升 我国攻克半导体材料世界难题

性能突破性提升！我国攻克半导体材料世界难题！近日，西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术，将原本随机的晶体生长过程转为精准可控的均匀生长，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，实验显示，新结构界面热阻仅为传统的三分之一。使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。

基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，刷新输出功率密度国际纪录，最高提升40%。这意味着同样芯片面积下，装备探测距离可显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。